日前，英飛凌科技股份公司發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650VIGBT系列。該系列TRENCHSTOPTM5AUTOIGBT符合AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)，可降低諸如車載充電、功率因數(shù)校正（PFC）、直流/直流和直流/交流轉(zhuǎn)換等電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）應(yīng)用的功率損耗并提高其可靠性。
全新IGBT系列阻斷電壓比前代汽車級IGBT高50V。此外，得益于英飛凌TRENCHSTOPTM5薄晶圓技術(shù)，該系列產(chǎn)品達(dá)到同類最佳效率。與現(xiàn)有的尖端技術(shù)相比，全新IGBT的飽和電壓（VCE）降低了200mV，開關(guān)損耗減半，并且柵極電荷降低2.5倍。同時，由于開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗雙雙降低，與替代技術(shù)相比，全新IGBT系列在相同的應(yīng)用中結(jié)溫和外殼溫度更低。這不僅提高了器件的可靠性，而且最大程度降低了冷卻需求。
通過使用TRENCHSTOPTM5AUTOIGBT，電動汽車設(shè)計(jì)師可實(shí)現(xiàn)器件效率提升所帶來的額外優(yōu)勢，即能夠延長續(xù)航里程或縮小電池尺寸。對混合動力汽車來說，效率提高意味著降低總?cè)加拖暮蜏p少二氧化碳排放。另外，TRENCHSTOPTM5AUTOIGBT器件的卓越性能使得其能進(jìn)入目前主要采用MOSFET技術(shù)的應(yīng)用，并為設(shè)計(jì)師提供基于不同半導(dǎo)體芯片技術(shù)的廣泛選擇。
