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MOS管DS間有寄生二極管，如何測(cè)試BVDSS

好多MOS 管工藝 D S 間有反向二極管，在測(cè)試BVDSS的時(shí)候，如何才能測(cè)得實(shí)際值呢，舉例件ID=1MA, Vclamp=600V 。請(qǐng)高手指點(diǎn)，不懂的別瞎說(shuō)
問 提問者：網(wǎng)友 2018-07-22
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不是好多mos有反向二極管，而是大部分都有。測(cè)BVdss，不管有沒有二極管，測(cè)試都是一樣的。ID=1mA , Vclamp=600V，就是Device GS short，Vd電壓從0-600V 往上加，mos管DS有電壓，就會(huì)有漏電流，只是電壓低時(shí)，電流太小，pA級(jí)，或者測(cè)不到，隨著電壓越來(lái)越高，漏電流也越來(lái)越大，當(dāng)漏電流達(dá)到1mA的時(shí)候，DS加的電壓，我們叫BVdss。Clamp=600V，是為了防止有device開路（內(nèi)部斷線或沒有die），電壓會(huì)無(wú)限往上加，損壞測(cè)試系統(tǒng)，所以最高電壓設(shè)定只能加到600V，也就是不管Id有沒有1mA，Vds到600后，就不繼續(xù)往上加了。好的Device大概400V左右。如果產(chǎn)品有問題，漏電流大，自然BVds就達(dá)不到400V（或者設(shè)計(jì)時(shí)的值）。
回答者：網(wǎng)友
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