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求一些關(guān)于晶體管在電子電路中的性質(zhì)與應(yīng)用的材料

本人要寫篇論文。題目是晶體管在電子電路中的性質(zhì)與應(yīng)用，內(nèi)容是晶體管的性質(zhì)與功能，及晶體管在電子電路中的應(yīng)用。希望哪位大哥大姐幫下忙搞點資料咯，或者只接找篇文章那更加感激不盡啊: 問提問者：網(wǎng)友 | 2017-02-04

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晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。 ※ 電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管放大能力。根據(jù)晶體管工作狀態(tài)的不同，電流放大系數(shù)又分為直流電流放大系數(shù)和交流電流放大系數(shù)。 1．直流電流放大系數(shù) 直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù)，是指在靜態(tài)無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流電流放大系數(shù) 交流電流放大系數(shù)也稱動態(tài)電流放大系數(shù)或交流放大倍數(shù)，是指在交流狀態(tài)下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有區(qū)別又關(guān)系密切，兩個參數(shù)值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。 ※ 耗散功率耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。 ※ 頻率特性晶體管的電流放大系數(shù)與工作頻率有關(guān)。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會出現(xiàn)放大能力減弱甚至失去放大作用。晶體管的頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM等。 1．特征頻率fT 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα?xí)r，其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管。 2．最高振蕩頻率fM 最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應(yīng)的頻率。通常，高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα，而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。集電極最大電流ICM 集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當(dāng)晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。最大反向電壓最大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。 1．集電極——發(fā)射極反向擊穿電壓該電壓是指當(dāng)晶體管基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集電極——基極反向擊穿電壓該電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。 3．發(fā)射極——基極反向擊穿電壓該電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開路時，其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。 ※ 反向電流晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO。 1．集電極——基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結(jié)反向漏電電流，是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。 2．集電極——發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當(dāng)晶體管的基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。【晶體管開關(guān)的作用】一)控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是； (1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少， (2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作， (3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如 (1)開關(guān)晶體管有效芯片面積的增加， (2)技術(shù)上的簡化， (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓， (4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動技術(shù)的進(jìn)步。、 (二)直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān) 晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加晶體管開關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問題是布線。很高的開關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。 (三)簡單和優(yōu)化的基極驅(qū)動造就的高性能今日的基極驅(qū)動電路不僅驅(qū)動功率晶體管，還保護(hù)功率晶體管，稱之為“非集中保護(hù)” (和集中保護(hù)對照)。集成驅(qū)動電路的功能包括： (1)開通和關(guān)斷功率開關(guān)； (2)監(jiān)控輔助電源電壓； (3)限制最大和最小脈沖寬度； (4)熱保護(hù)； (5)監(jiān)控開關(guān)的飽和壓降。: 回答者：網(wǎng)友

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