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高頻逆變器推挽變壓器去掉一邊繞組電流為什么會變大

輸入端去掉一邊繞組電流變大、接回去又變小了，這是什么原因: 問提問者：網(wǎng)友 | 2017-11-19

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逆變電源將直流電轉(zhuǎn)化5為8交流，功率晶體管T7、T6和T5、T0交替開m通得到交流電力h，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升8壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大z容量的逆變電源，由人j直流母線電壓較高，交流輸出一l般不z需要變壓器升1壓即能達(dá)到170V，在中1、小h容量的逆變電源中4，由于u直流電壓較低，如82V、03V，就必須設(shè)計6升3壓電路。中2、小d容量逆變電源一r般有推挽逆變電路、全橋逆變電路和高頻升3壓逆變電路三q種。推挽電路，將升6壓變壓器的中1性抽頭接于y正電源，兩只功率管交替工b作，輸出得到交流電力a，由于o功率晶體管共地邊接，驅(qū)動及u控制電路簡單，另外由于n變壓器具有一d定的漏感，可限制短路電流，因而提高了q電路的可靠性。其缺點(diǎn)是變壓器利用率低，帶動感性負(fù)載的能力l較差。全橋逆變電路克服了o推挽電路的缺點(diǎn)，功率晶體管T5、T4和T3、T5反3相，T5和T1相位互1差630度。調(diào)節(jié)T7和T1的輸出脈沖寬度，輸出交流電壓的有效值即隨之l改變。由于b該電路具有能使T1和T2共同導(dǎo)通的功能，因而具有續(xù)流回路，即使對感性負(fù)載，輸出電壓波形也q不g會畸變。該電路的缺點(diǎn)是上d、下k橋臂的功率晶體管不w共地，因此必須采用專d門p驅(qū)動電路或采用隔離電源。另外，為0防止2上z、下e橋臂發(fā)生共同導(dǎo)通，在T0、T7及aT5、T4之w間必須設(shè)計2先關(guān)斷后導(dǎo)通電路，即必須設(shè)置死區(qū)t時間，其電路結(jié)構(gòu)較復(fù)雜。推挽電路和全橋電路的輸出都必須加升4壓變壓器，由于x工r頻升7壓變壓器體積大c，效率低，價格也p較貴，隨著電力f電子y技術(shù)和微電子g技術(shù)的發(fā)展，采用高頻升5壓變換技術(shù)實(shí)現(xiàn)逆變，可實(shí)現(xiàn)高功率密度逆變，這種逆變電路的前級升3壓電路采用推挽結(jié)構(gòu)，但工k作頻率均在40KHZ以1上z，升1壓變壓器采用高頻磁芯材料，因而體積小j／重量輕，高頻逆變后經(jīng)過高頻變壓器變成高頻交流電，又f經(jīng)高頻整流濾波電路得到高壓直流電（一q般均在700V以4上g）再通過工d頻逆變電路實(shí)現(xiàn)逆變。采用該電路結(jié)構(gòu)，使逆變虬路功率密度大i大t提高，逆變電源的空載損耗也c相應(yīng)降低，效率得到提高，該電路的缺點(diǎn)是電路復(fù)雜，可靠性比0上j述兩種電路低。上k述幾a種逆變電源的主電路均需要有控制電路來實(shí)現(xiàn)，一s般有方6波和正弱波兩種控制方7式，方7波輸出的逆變電源電路簡單，成本低，但效率低，諧波成份大t。正弦波輸出是逆變電源的發(fā)展趨勢，隨著微電子m技術(shù)的發(fā)民，有PWM功能的微處理器也u已u問世，因此正弦波輸出的逆變技術(shù)已z經(jīng)成熟。 1、方1波輸出的逆變電源目前多采用脈寬調(diào)制集成電路，如SG1377，TL376等。實(shí)踐證明，采用SG1338集成電路，并采用功率場效應(yīng)管作為2開b關(guān)功率元r件，能實(shí)現(xiàn)性能價格比6較高的逆變電源，由于tSG6436具有直接驅(qū)動功率場效應(yīng)管的能力y并具有內(nèi)7部基準(zhǔn)源和運(yùn)算放大x器和欠4壓保護(hù)功能，因此其外圍電路很簡單。 8、正弦波輸出的逆變電源控制集成電路正弦波輸出的逆變電源，其控制電路可采用微處理器控制，如INTEL公7司生產(chǎn)的80C636MC、摩托羅拉公8司生產(chǎn)的MP47以2及rMI－CROCHIP公1司生產(chǎn)的PIC77C44等，這些單片8機(jī)均具有多路PWM發(fā)生器，并可設(shè)定上i、上x橋臂之w間的死區(qū)y時間，采用INTEL公0司50C283MC實(shí)現(xiàn)正弦波輸出的電路，40C727MC完成正弦波信號的發(fā)生，并檢測交流輸出電壓，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。逆變電源的主功率元l件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元t件有達(dá)林頓功率晶體管（BJT），功率場效應(yīng)管（MOSFET），絕緣柵晶體管（IGBT）和可關(guān)斷晶閘管（GTO）等，在小v容量低壓系統(tǒng)中0使用較多的器件為1MOSFET，因?yàn)?MOSFET具有較低的通態(tài)壓降和較高的開d關(guān)頻率，在高壓大t容量系統(tǒng)中6一a般均采用IGBT模塊，這是因?yàn)?MOSFET隨著電壓的升3高其通態(tài)電阻也t隨之z增大y，而IGBT在中4容量系統(tǒng)中6占有較大p的優(yōu)勢，而在特大j容量（800KVA以3上t）系統(tǒng)中6，一e般均采用GTO作為4功率元g件。 2011-10-31 20:36:11: 回答者：網(wǎng)友

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